NSCSSNN150PAUNV

NSCSSNN150PAUNV datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

NSCSSNN150PAUNV
Производитель

Hobbs Corporation
Описание

Hobbs Corporation NSCSSNN150PAUNV RoHS: yes Operating Pressure: 0 psi to 150 psi Pressure Type: Absolute Output Type: Unamplified Operating Supply Voltage: 12 V Package / Case: SIP Port Type: No Ports Maximum Operating Temperature: + 85 C Minimum Operating Temperature: - 40 C Series: NSC Supply Current: 2 mA Supply Voltage - Max: 12 V Supply Voltage - Min: 1.8 V Tradename: TruStability
Количество страниц

1 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

5,07 KB

NSCSSNN150PAUNV datasheet скачать

NSCSSNN150PAUNV datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

<p>По мере того как вычисления, связанные с ИИ, продолжают развиваться как в облачных, так и в периферийных средах, спрос на более быстрые и ёмкие решения для хранения данных значительно вырастет в ближайшие два десятилетия. Технология NAND FLASH, являющаяся основой экономичных и высокоплотных систем хранения данных, уже революционизировала множество отраслей, начиная от USB-накопителей и заканчивая крупномасштабными серверами. Промышленность перешла от 2D NAND к 3D NAND, которая стала доминирующей технологией памяти с момента её коммерческого дебюта в 2013-2014 годах.</p>

Новые технологии оборудования станут ключевыми для масштабирования до 1000-слойной 3D NAND в эпоху ИИ

02.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Экспресс доставка электронных компонентов

Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.